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NID6002NT4G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 11 A, 0.21 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNID6002NT4G
Code Commande83K8655
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id11A
On Resistance Rds(on)0.21ohm
Drain Source On State Resistance0.21ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.21ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.21ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit