Imprimer la page
NSBC114EPDXV6T1G
Bipolar Transistor Array, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 357 mW
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Impossible de récupérer les informations sur la disponibilité
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSBC114EPDXV6T1G
Code Commande09R9607
Fiche technique
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN357mW
Power Dissipation PNP357mW
DC Current Gain hFE Min NPN35hFE
DC Current Gain hFE Min PNP35hFE
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
357mW
DC Current Gain hFE Min PNP
35hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
357mW
DC Current Gain hFE Min NPN
35hFE
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NSBC114EPDXV6T1G
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit