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NST857BDP6T5G
Bipolar Transistor Array, PNP
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNST857BDP6T5G
Code Commande01P5118
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation420W
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleSOT-963
DC Current Gain hFE Min290hFE
No. of Pins6Pins
Qualification-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
290hFE
Qualification
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
420W
Transistor Case Style
SOT-963
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit