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NTBG014N120M3P
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG014N120M3P
Code Commande65AK6014
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
792 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 53,450 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
53,45 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG014N120M3P
Code Commande65AK6014
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.63V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
104A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.63V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
227W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG014N120M3P
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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