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NTBG020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG020N120SC1
Code Commande54AH9493
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
610 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 66,790 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
66,79 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG020N120SC1
Code Commande54AH9493
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd468W
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
468W
Power Dissipation
468W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG020N120SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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