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NTBG040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120SC1
Code Commande91AH8445
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120SC1
Code Commande91AH8445
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation357W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
357W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG040N120SC1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits