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NTBG045N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG045N065SC1
Code Commande
Mise en bobine81AJ0220
Bandes découpées81AJ0220
Gamme de produitEliteSiC Series
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64 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,890 $ | 10,89 $ |
| Total Prix | 10,89 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 18,880 $ | 10,890 $ |
| 10+ | 12,490 $ | 10,890 $ |
| 25+ | 12,080 $ | 10,890 $ |
| 50+ | 11,670 $ | 10,890 $ |
| 100+ | 11,280 $ | 10,890 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG045N065SC1
Code Commande
Mise en bobine81AJ0220
Bandes découpées81AJ0220
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation242W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
62A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
242W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG045N065SC1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits