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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,862 $ |
| 10+ | 0,782 $ |
| 25+ | 0,722 $ |
| 50+ | 0,662 $ |
| 100+ | 0,602 $ |
| 250+ | 0,576 $ |
| 500+ | 0,549 $ |
| 1000+ | 0,442 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF3055L108T1G
Code Commande58M9898
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.1W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.68V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.68V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTF3055L108T1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit