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NTF5P03T3G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,925 $ |
| 25+ | 0,876 $ |
| 50+ | 0,807 $ |
| 100+ | 0,737 $ |
| 250+ | 0,677 $ |
| 500+ | 0,616 $ |
| 1000+ | 0,599 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF5P03T3G
Code Commande06R3475
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.13W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation3.13W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Power Dissipation Pd
3.13W
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
3.13W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits