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NTGS4111PT1G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS4111PT1G
Code Commande10N9575
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.25W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NTGS4111PT1G
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits