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NTH4L040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 12,650 $ |
| 500+ | 12,300 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 450
Multiple: 450
5 692,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L040N120M3S
Code Commande57AK6419
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTH4L040N120M3S
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit