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NTH4L080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L080N120SC1
Code Commande91AH8492
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,030 $ |
| 10+ | 10,030 $ |
| 25+ | 10,030 $ |
| 50+ | 9,860 $ |
| 100+ | 9,300 $ |
| 250+ | 8,730 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L080N120SC1
Code Commande91AH8492
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.75V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.75V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
170W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTH4L080N120SC1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits