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NTHL020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL020N090SC1
Code Commande91AH8482
Gamme de produitEliteSiC Series
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| Quantité | Prix | Tarif promotionnel |
|---|---|---|
| 1+ | 36,880 $ | 30,770 $ |
| 5+ | 32,850 $ | 30,770 $ |
| 10+ | 28,790 $ | 28,790 $ |
Prix pour :Each
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL020N090SC1
Code Commande91AH8482
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id118A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation503W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
118A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
503W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits