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NTHL160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL160N120SC1
Code Commande91AH8489
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,900 $ |
| 10+ | 5,900 $ |
| 25+ | 5,900 $ |
| 50+ | 5,900 $ |
| 100+ | 5,900 $ |
| 250+ | 5,900 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL160N120SC1
Code Commande91AH8489
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.162ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation119W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.162ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
119W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTHL160N120SC1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits