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NTJD1155LT1G
MOSFET, N & P-CH, 8V, 1.3A, SC-88-6
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 551 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,630 $ |
| 10+ | 0,401 $ |
| 25+ | 0,367 $ |
| 50+ | 0,333 $ |
| 100+ | 0,299 $ |
| 250+ | 0,265 $ |
| 500+ | 0,230 $ |
| 1000+ | 0,195 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,15 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD1155LT1G
Code Commande46AC1424
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel8V
Drain Source Voltage Vds8V
Drain Source Voltage Vds P Channel8V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.13ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.13ohm
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
8V
Drain Source Voltage Vds P Channel
8V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.13ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source Voltage Vds
8V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.13ohm
Transistor Case Style
SC-88
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits