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NTJD4001NT1G
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 250 mA, 1.5 ohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,634 $ |
| 10+ | 0,390 $ |
| 25+ | 0,349 $ |
| 50+ | 0,308 $ |
| 100+ | 0,267 $ |
| 250+ | 0,238 $ |
| 500+ | 0,208 $ |
| 1000+ | 0,187 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,63 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4001NT1G
Code Commande27W1981
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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