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NTJD4158CT1G.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 20 V, 250 mA, 880 mA, 1.5 ohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4158CT1G.
Code Commande28AC0224
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.26ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel270mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.26ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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