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NTJD4401NT1G
MOSFET TRANSISTOR
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 784 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,651 $ |
| 10+ | 0,447 $ |
| 100+ | 0,302 $ |
| 500+ | 0,239 $ |
| 1000+ | 0,212 $ |
| 2500+ | 0,185 $ |
| 12000+ | 0,157 $ |
| 27000+ | 0,151 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
3,26 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4401NT1G
Code Commande70W0111
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel630mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel270mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
630mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
630mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits