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NTJD5121NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD5121NT1G
Code Commande08R3934
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id295mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel304mA
Continuous Drain Current Id P Channel304mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel266mW
Power Dissipation P Channel266mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
304mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
266mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
295mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
304mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
266mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit