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NTLJD4116NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 2 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,661 $ |
| 6000+ | 0,622 $ |
| 12000+ | 0,593 $ |
| 18000+ | 0,562 $ |
| 30000+ | 0,545 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 983,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJD4116NT1G
Code Commande83K8685
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.7A
Continuous Drain Current Id P Channel3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.047ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.047ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.047ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.047ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit