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NTLJS2103PTBG
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 5.9 A, 0.025 ohm, WDFN, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,428 $ |
| 6000+ | 0,417 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 284,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJS2103PTBG
Code Commande08R3958
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.9W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit