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NTMFS005P03P8ZT1G
MOSFET, P-CHANNEL, 30V, 164A, DFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS005P03P8ZT1GCopie
Code Commande
Bobine complète87AK0318
Mise en bobine97AK7415
Bandes découpées97AK7415
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125 947 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,320 $ | 3,32 $ |
| Total Prix | 3,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,320 $ |
| 10+ | 2,120 $ |
| 25+ | 1,890 $ |
| 50+ | 1,660 $ |
| 100+ | 1,440 $ |
| 250+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,150 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 1,210 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS005P03P8ZT1GCopie
Code Commande
Bobine complète87AK0318
Mise en bobine97AK7415
Bandes découpées97AK7415
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id164A
Drain Source On State Resistance2700µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
164A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTMFS005P03P8ZT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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