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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS0D6N03CT1G
Code Commande
Mise en bobine32AJ8445
Bandes découpées32AJ8445
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 425 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,000 $ |
| 10+ | 2,920 $ |
| 25+ | 2,770 $ |
| 50+ | 2,590 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 250+ | 2,280 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS0D6N03CT1G
Code Commande
Mise en bobine32AJ8445
Bandes découpées32AJ8445
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id433A
Drain Source On State Resistance520µohm
On Resistance Rds(on)520µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
520µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
433A
On Resistance Rds(on)
520µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTMFS0D6N03CT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
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