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NTMFS2D1N08XT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 201A, DFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS2D1N08XT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine97AK7417RL
Bandes découpées97AK7417
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,900 $ | 4,90 $ |
| Total Prix | 4,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,900 $ |
| 50+ | 2,510 $ |
| 100+ | 2,280 $ |
| 250+ | 2,090 $ |
| 500+ | 1,880 $ |
| 1000+ | 1,830 $ |
| 2500+ | 1,810 $ |
| 5000+ | 1,760 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS2D1N08XT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine97AK7417RL
Bandes découpées97AK7417
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id201A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation164W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
201A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
164W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTMFS2D1N08XT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit