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3 046 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,994 $ |
| 10+ | 0,760 $ |
| 25+ | 0,687 $ |
| 50+ | 0,613 $ |
| 100+ | 0,540 $ |
| 250+ | 0,521 $ |
| 500+ | 0,501 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,97 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS4C05NT1G
Code Commande51Y4998
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id78A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd33W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation33W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation Pd
33W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
78A
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTMFS4C05NT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits