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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 50 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,130 $ |
| 10+ | 0,773 $ |
| 25+ | 0,691 $ |
| 50+ | 0,609 $ |
| 100+ | 0,527 $ |
| 250+ | 0,476 $ |
| 500+ | 0,423 $ |
| 1000+ | 0,410 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,13 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS5C670NLT1G
Code Commande75Y1891
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance6100µohm
On Resistance Rds(on)0.0051ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd61W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation61W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
NTMFS5C670NLT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 71A
- Power dissipation is 61W at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -4.7mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 1400pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 11ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 60ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
6100µohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
71A
On Resistance Rds(on)
0.0051ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
61W
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTMFS5C670NLT1G
1 produit trouvé
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit