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NTMFS7D8N10GTWG
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 0.0076 ohm, PQFN, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,970 $ |
| 10+ | 1,970 $ |
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| 50+ | 1,970 $ |
| 100+ | 1,970 $ |
| 250+ | 1,970 $ |
| 500+ | 1,970 $ |
| 1000+ | 1,970 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS7D8N10GTWG
Code Commande50AJ5896
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
On Resistance Rds(on)0.0056ohm
Drain Source On State Resistance5600µohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation187W
Power Dissipation Pd187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0056ohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit