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NTMT061N60S5H
MOSFET, N-CH, 600V, 41A, TDFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT061N60S5HCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AN4216RL
Bandes découpées16AN4216
Gamme de produitSUPERFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 12,610 $ | 12,61 $ |
| Total Prix | 12,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,610 $ |
| 50+ | 7,060 $ |
| 100+ | 6,520 $ |
| 250+ | 6,500 $ |
| 500+ | 6,470 $ |
| 1000+ | 6,340 $ |
| 2500+ | 6,220 $ |
| 5000+ | 6,080 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMT061N60S5HCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine16AN4216RL
Bandes découpées16AN4216
Gamme de produitSUPERFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.061ohm
Transistor Case StyleTDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation250W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit