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NTMYS003N08LHTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 132A, LFPAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS003N08LHTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine86AK5845RL
Bandes découpées86AK5845
Votre numéro de pièce
2 920 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,610 $ | 4,61 $ |
| Total Prix | 4,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,610 $ |
| 50+ | 3,380 $ |
| 100+ | 2,970 $ |
| 250+ | 2,960 $ |
| 500+ | 2,930 $ |
| 1000+ | 2,890 $ |
| 2500+ | 2,840 $ |
| 5000+ | 2,790 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS003N08LHTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine86AK5845RL
Bandes découpées86AK5845
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id132A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
132A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour NTMYS003N08LHTWG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit