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NTMYS025N06CLTWG
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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| 1000+ | 0,265 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMYS025N06CLTWG
Code Commande39AH9065
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.0229ohm
On Resistance Rds(on)0.0229ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd24W
Power Dissipation24W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0229ohm
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
24W
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.0229ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
24W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit