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NTR2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR2101PT1G
Code Commande45J2174
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd960mW
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation960mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Power Dissipation Pd
960mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits