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NTR4170NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4170NT1G
Code Commande08R4025
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd780mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation780mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Produits de remplacement pour NTR4170NT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The NTR4170NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2.4A continuous drain current. It is suitable for power converters for portables, battery management and load/power switch applications.
- Low RDS (ON)
- Low gate charge
- Low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Portable Devices, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Power Dissipation Pd
780mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
780mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits