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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR5198NLT1G
Code Commande49Y1205
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.107ohm
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.5W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NTR5198NLT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The NTR5198NLT1G is a N-channel Power MOSFET offers 60V drain source voltage and 2.2A continuous drain current. It has low RDS (ON) for low conduction losses and improved efficiency.
- Small footprint surface-mount package
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.107ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.5W
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit