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NTTYS009N08HLTWG
MOSFET, N-CH, 80V, 58A, LFPAK
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTYS009N08HLTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AK4248RL
Bandes découpées81AK4248
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,140 $ | 3,14 $ |
| Total Prix | 3,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,140 $ |
| 50+ | 1,540 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
| 250+ | 1,250 $ |
| 500+ | 1,120 $ |
| 1000+ | 1,090 $ |
| 2500+ | 1,070 $ |
| 5000+ | 1,050 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTYS009N08HLTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AK4248RL
Bandes découpées81AK4248
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.0086ohm
Transistor Case StyleLFPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation73W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
Transistor Case Style
LFPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTTYS009N08HLTWG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit