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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, N and P Channel, 540 mA, 20
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3155CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2183
Mise en bobine94T5893
Bandes découpées94T5893
Votre numéro de pièce
190 123 En Stock
14 123 disponibles sur {packagingType}
176 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,505 $ | 2,52 $ |
| Total Prix | 2,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,505 $ |
| 25+ | 0,413 $ |
| 100+ | 0,266 $ |
| 500+ | 0,220 $ |
| 1000+ | 0,173 $ |
| 2500+ | 0,164 $ |
| 10000+ | 0,157 $ |
| 25000+ | 0,155 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,228 $ |
| 6000+ | 0,206 $ |
| 12000+ | 0,188 $ |
| 18000+ | 0,177 $ |
| 30000+ | 0,164 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3155CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2183
Mise en bobine94T5893
Bandes découpées94T5893
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id540mA
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
540mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit