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NVB099N65S3
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-263
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVB099N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine93AK8747RL
Bandes découpées93AK8747
Gamme de produitSuperFET III
Votre numéro de pièce
704 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,020 $ | 9,02 $ |
| Total Prix | 9,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,020 $ |
| 50+ | 6,550 $ |
| 100+ | 5,040 $ |
| 250+ | 5,000 $ |
| 500+ | 4,960 $ |
| 1000+ | 4,710 $ |
| 2500+ | 4,620 $ |
| 5000+ | 4,530 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVB099N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine93AK8747RL
Bandes découpées93AK8747
Gamme de produitSuperFET III
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.079ohm
Transistor Case StyleD2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit