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NVBG022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG022N120M3S
Code Commande47AK6053
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 23,010 $ |
| 1000+ | 22,630 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
18 408,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG022N120M3S
Code Commande47AK6053
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVBG022N120M3S
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit