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NVBG025N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, D2PAK-7L
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG025N065SC1
Code Commande57AK6422
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation395W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
395W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVBG025N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
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