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NVBG032N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 52 A, 650 V, 44 mohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG032N065M3S
Code Commande20AM4399
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
800 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,720 $ |
| 10+ | 18,320 $ |
| 25+ | 17,840 $ |
| 50+ | 17,350 $ |
| 100+ | 16,850 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
23,72 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG032N065M3S
Code Commande20AM4399
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance44mohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
44mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
200W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits