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NVH4L020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L020N090SC1
Code Commande93AK8755
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 67,100 $ |
| 5+ | 61,470 $ |
| 10+ | 55,840 $ |
| 25+ | 55,590 $ |
| 50+ | 55,340 $ |
| 100+ | 55,080 $ |
| 250+ | 54,830 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
67,10 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L020N090SC1
Code Commande93AK8755
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation484W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
116A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
484W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits