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NVH4L040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N120SC1
Code Commande74AH4860
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 38,740 $ |
| 5+ | 38,310 $ |
| 10+ | 38,280 $ |
| 25+ | 37,270 $ |
| 50+ | 36,240 $ |
| 100+ | 35,800 $ |
| 250+ | 35,350 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
38,74 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L040N120SC1
Code Commande74AH4860
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd319W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation319W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation Pd
319W
Power Dissipation
319W
Product Range
EliteSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit