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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L060N090SC1
Code Commande12AJ7264
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 31,710 $ |
10+ | 28,990 $ |
25+ | 26,260 $ |
50+ | 23,540 $ |
100+ | 23,090 $ |
250+ | 22,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
31,71 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L060N090SC1
Code Commande12AJ7264
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits