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NVHL023N065M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL023N065M3S
Code Commande20AM4400
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 13 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 26,000 $ |
| 10+ | 23,690 $ |
| 25+ | 23,110 $ |
| 50+ | 22,520 $ |
| 100+ | 21,940 $ |
| 250+ | 21,350 $ |
| 900+ | 20,900 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
26,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL023N065M3S
Code Commande20AM4400
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit