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NVHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande74AH4857
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 46,170 $ |
| 5+ | 44,290 $ |
| 10+ | 42,400 $ |
| 25+ | 41,470 $ |
| 50+ | 40,520 $ |
| 100+ | 39,590 $ |
| 250+ | 38,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
46,17 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande74AH4857
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation Pd348W
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
348W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit