Imprimer la page
NVHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande74AH4857
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
495 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 37,450 $ |
| 5+ | 37,090 $ |
| 10+ | 36,710 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
37,45 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL040N120SC1
Code Commande74AH4857
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd348W
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation Pd
348W
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit