Imprimer la page
NVHL080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL080N120SC1
Code Commande99AC9420
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
2 066 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 27,300 $ |
| 10+ | 21,060 $ |
| 25+ | 20,760 $ |
| 50+ | 20,450 $ |
| 100+ | 20,150 $ |
| 250+ | 19,840 $ |
| 900+ | 19,530 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
27,30 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL080N120SC1
Code Commande99AC9420
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd348W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
To Be Advised
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
348W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit