Imprimer la page
NVHL110N65S3F
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL110N65S3F
Code Commande97AC7893
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
1 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,510 $ |
| 10+ | 3,510 $ |
| 25+ | 3,510 $ |
| 50+ | 3,510 $ |
| 100+ | 3,510 $ |
| 250+ | 3,510 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,51 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVHL110N65S3F
Code Commande97AC7893
Gamme de produitSUPERFET III FRFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.093ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd240W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation240W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produits de remplacement pour NVHL110N65S3F
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.093ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
240W
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit