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NVMFS2D5N08X
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 156A, WDFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS2D5N08XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine08AM4240RL
Bandes découpées08AM4240
Votre numéro de pièce
1 420 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,140 $ | 4,14 $ |
| Total Prix | 4,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,140 $ |
| 50+ | 3,650 $ |
| 100+ | 3,300 $ |
| 250+ | 2,970 $ |
| 500+ | 2,600 $ |
| 1000+ | 2,250 $ |
| 2500+ | 2,060 $ |
| 5000+ | 1,960 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS2D5N08XCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine08AM4240RL
Bandes découpées08AM4240
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id156A
Drain Source On State Resistance2550µohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation133W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
156A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
133W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2550µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit