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NVMFS5834NLWFT1G-UM
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, WFDFN-4
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5834NLWFT1G-UMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0868RL
Bandes découpées06AN0868
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 24 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,280 $ | 1,28 $ |
| Total Prix | 1,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,280 $ |
| 50+ | 0,843 $ |
| 100+ | 0,746 $ |
| 250+ | 0,700 $ |
| 500+ | 0,672 $ |
| 1000+ | 0,659 $ |
| 2500+ | 0,645 $ |
| 5000+ | 0,632 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5834NLWFT1G-UMCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine06AN0868RL
Bandes découpées06AN0868
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.0093ohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation107W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0093ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit