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NVMFS5C456NLET1G-YE
MOSFET, N-CH, 40V, 87A, DFN-4
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5C456NLET1G-YECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AN7200RL
Bandes découpées11AN7200
Votre numéro de pièce
1 150 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,470 $ | 3,47 $ |
| Total Prix | 3,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,470 $ |
| 50+ | 1,690 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
| 250+ | 1,370 $ |
| 500+ | 1,220 $ |
| 1000+ | 1,190 $ |
| 2500+ | 1,170 $ |
| 5000+ | 1,140 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5C456NLET1G-YECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AN7200RL
Bandes découpées11AN7200
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.0037ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation55W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit