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NVMFWS0D6N04XMT1G
MOSFET, N-CH, 40V, 380A, WFDFN
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFWS0D6N04XMT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM2189RL
Bandes découpées51AM2189
Votre numéro de pièce
190 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,080 $ | 6,08 $ |
| Total Prix | 6,08 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,080 $ |
| 50+ | 4,050 $ |
| 100+ | 2,980 $ |
| 250+ | 2,750 $ |
| 500+ | 2,530 $ |
| 1000+ | 2,290 $ |
| 2500+ | 2,240 $ |
| 5000+ | 2,200 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFWS0D6N04XMT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM2189RL
Bandes découpées51AM2189
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id380A
Drain Source On State Resistance570µohm
Transistor Case StyleWFDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
380A
Transistor Case Style
WFDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
570µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit